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加藤 与五郎（かとう よごろう）博士 |
山﨑 舜平（やまざき しゅんぺい） |
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東京工業大学の創立（昇格）に関与された一人で、フェライトを発明された加藤与五郎博士は、「進歩則創造」の精神を持ち、「最高の創造を生み出すパイオニアを育成する。」というゆるぎない信念がありました。学生時代に山﨑理事長はこの創造教育を受け、創造の精神を培いました。
●略歴 1872 愛知県刈谷市に生まれる 1895 同志社ハリス理化学校卒業 1903 京都帝国大学卒業 MIT（マサチューセッツ工科大学）留学 1906 東京高等工業学校（現東京工業大学）の 教授となる 1931 特許料を東京工業大学に全額寄附をして 資源化学研究所を設立 1957 軽井沢にて創造教育の指導を始める 文化功労者 1964 勲二等旭日重光章 受章 1967 死去（享年 95歳） 2000 愛知県刈谷市より名誉市民の称号を受ける |
大学時代に加藤与五郎博士を師と仰ぎ、創造教育を受けました。その成果として、大学院を修了する29歳までにMOS型LSI技術を中心として、制御電極付シリコンフローティングゲートトランジスタ、いわゆる現在のフラッシュメモリの発明をはじめ、多くの発明をしました。2004年9月には、3,245件の特許取得件数を有し、その後も2011年3月には6,314件、2016年には11,353件と記録を伸ばし続けています。 1980年、加藤先生の教えを実践するために(株)半導体エネルギー研究所を設立し、現在も結晶性酸化物半導体を用いたディスプレイ、LSI、AIをはじめとする研究で現場に入って活動中です。 ●略歴 1980 株式会社半導体エネルギー研究所設立 代表取締役に就任 1984 アメリカン・セラミック・ソサイアティ フルラス賞 1995 内閣府紺綬褒章 受章（2015年までに6回受章） 1997 内閣府紫綬褒章 受章 2007 英国Synectics社 「世界の100人の生きている天才」58位 2009 IVA（スウェーデン王立工学科学 アカデミー） 外国人会員 2010 IEEE（米国電気電子学会）フェロー 2010 財団法人大河内記念会 大河内記念技術賞 2011 同志社大学 名誉文化博士 IEEE（米国電気電子学会）ライフフェロー 2015 同志社社友 2015 SID Special Recognition Award 2016 ACerS Medal for Leadership in the Advancement of Ceramic Technology |
| 設立許可書（PDFファイル：256KB） |
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